各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
中国的***工业由于较长时期处于***计划经济体制，因此发展比较缓慢，特别是铂族金属起步更是比较晚，工艺技术比较落后，国内资源更是匮乏，直到改革开放以后，以上海黄金的开业为标志，在这三十年里，才得到了迅速的发展，出现了现货、纸黄金、纸白银等等的交易模式，为***者开打了通往财富的大门，更多的开辟了就业渠道，同时铂族金属的生产加工企业和流通领域的企业也似雨后春笋，蓬勃发展，使中国成为很大的的铂族金属进口和消费国。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。
背靶的选择
对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右
导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好；
强度足够：太薄，易变形，不易真空密封。
结构要求：空心或者实心结构；
厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上，升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板
