苏州军拓五金厂是一家专注于研磨抛光设备和研磨抛光材料的公司,公司技术和研发实力雄厚。
在粗抛光的过程中,要适当的撒上较粗的氧化铬、氧化铝或氧化镁抛光液,并保持抛光盘上呢绒的湿润。在粗抛光过程中要拿紧试样,沿抛光盘的径向往复运动,均匀地调整所施加的压力,注意其压力也不应过大。抛光开始时,要不时的撒些抛光液。以后慢慢减轻压力,减低抛光液的浓度直至抛光到细磨痕消失,平整光亮且没有黑点时为止。
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CMP
概念CMP,即Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括:抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。CMP技术的概念是1965年由M***anto首i次提出。该技术***初是用于获取高质量的玻璃表面,如军i用望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中,而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后,CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法,CMP通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
CMP抛光液
CMP抛光液是以高纯硅粉为原料,离心光饰抛光哪家好,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品,广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。
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。在细抛光过程中施加的压力应比粗抛光时轻,抛光液不要太浓,绒盘要保持一定的湿度。因为呢绒太干,容易将磨面划伤,出现较深较多的划痕;呢绒太湿也不好,会使磨面氧化。呢绒湿度随着抛光过程的进行而逐渐减少。经常观察试样细抛光的情况,提起后在试样的抛光面上不粘带抛光液及小的水珠。而保持一吹即干的水膜时,要轻轻抛光。待试样的粗抛光磨痕消失,基体清亮,拿起后在试样的抛光面上无水膜时,试样的细抛光已经合适。
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