星际金华电子公司现货营销【***P1302-079LF射频二极管/STD8N80K5场效应晶体管】量大价优 质量有保证 实单可议价
深圳市星际金华提供【***P1302-079LF射频二极管/STD8N80K5场效应晶体管】进口原装现货可出售样品 欢迎广大商友来电联系
***P1302-079LF射频二极管
规格：
二极管类型 PIN - 单
电压 - 峰值反向（***大值） 200V
不同 Vr，F 时的电容 0.3pF @ 30V，1MHz
不同 If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz
功率耗散（***大值） 250mW
工作温度 -65°C ~ 150°C（TA）
封装/外壳 SC-79，SOD-523
供应商器件封装 SC-79
STD8N80K5场效应晶体管：
规格参数值：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 950 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 16.5nC @ 10V
Vgs（***大值） &plu***n;30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 450pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 110W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
这款N沟道齐纳保护功率MOSFET采用ST创新的雪崩耐用超高压SuperMESH™5技术，基于创新的专有垂直结构设计。其结果是导通电阻大大降低，并且对于需要高功率密度和***率的应用而言，超低栅极电荷。
主要特征：
******佳FOM（品质因数）
超低门电荷
100％雪崩测试
齐纳保护
【***P1302-079LF射频二极管/STD8N80K5场效应晶体管】此型号为星际金华进口原装现货产品，因网上所标价格均不是实价，如有需要可向***人员索取相关资料以及图片，下单前请先与***人员咨询。