感应耦合等离子体刻蚀机的结构二
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刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有：上电极、ICP 射频单元、RF 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。
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感应耦合等离子体刻蚀机的结构四
真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。
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等离子刻蚀工艺
等离子体刻蚀分为两个过程：首先，等离子体中产生化学活性组分；其次，这些活性组分与固体材料发生反应，形成挥发性化合物，从表面扩散排走。例如，CF4离解产生的F，与S反应生成SiF4气体，结果是在含Si材料的表面形成了微观铣削结构。等离子体刻蚀是一个通用术语，包括离子刻蚀、溅射刻蚀以及等离子体灰化等过程。
基底和工艺参数决定了表面改性的类型，基底温度、处理时间和材料扩散特性决定了改性深度。等离子体仅能在表面刻蚀几个微米的深度，改性后的表面特性发生了改变，但大部分材料的特性仍能得以保持。这项技术还可以用于表面清洗、固话、粗化、改变亲水性及粘结性等，同样也可以使电子显微镜下观察的样品变薄以及应用于半导体集成电路的制造过程中。在化学溅射中会发生反应并产生挥发性产物。常用的气体包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有机蒸气等。与存在化学反应的等离子体溅射相比，惰性离子溅射更像是一个物理过程。
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