危害磁控溅射匀称性的要素
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靶基距、标准气压的危害靶基距都是危害磁控溅射塑料薄膜薄厚匀称性的关键加工工艺主要参数，塑料薄膜薄厚匀称性在必须范围之内随之靶基距的扩大有提升的发展趋势，无心插柳工作中标准气压都是危害塑料薄膜薄厚匀称性关键要素。这一现象是格洛夫（Grove）于1842年在实验研究阴极腐蚀问题时，阴极材料被迁移到真空管壁上而发现的。可是，这类匀称是在小范围之内的，由于扩大靶基距造成的匀称性是提升靶上的一点儿相匹配的板材上的总面积造成的，而提升工作中标准气压是因为提升物体光学散射造成的，显而易见，这种要素只有在小总面积范围之内起***。
磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影响因素是什么？
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靶zhong毒的物理解释
（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。这样中空玻璃，一些门窗厂，幕墙公司、小规模的玻璃深加工工厂，都可以生产low-e中空玻璃了，加上***政策的支持与引导，大大的加快了low-e玻璃的发展与普及。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶zhong毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶zhong毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。
磁控溅射
（1）各种功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。
（2）装饰领域的应用，如各种全反射膜及半透明膜等，如手机外壳，鼠标等。
（3） 在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机
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