数字IC验证综合知识
接口的强大功能：一是简化模块之间的连接；二是实现类和模块之间的通信。可以说接口的功能固然强大，但是问题又来了：
首先，因为事务交易处理器中的方法采用了层次化应用的方式去访问对应端口的信号，所以我们只能为两个相同功能的接口分别编写两个几乎一样的事务交易处理器，为什么呢？因为采用的是层次化的应用，假如设计中的某个引脚名字需要修改，我们只能修改驱动这个端口的方法！不管是在空气流通的热带区域中，还是在潮湿的区域中运输，潮湿都是显著增加电子工业开支的原因。这样还是有点繁琐，那么sv中有了虚接口的概念，事情就会变得更加简单了！
到底是如何操作的呢？
虚接口和对应的通用方法可以把设计和验证平台分隔开来，保证其不受设计改动的影响。当我们对一个设计的引脚名字进行改动的时候，我们无须改动驱动这个接口的方法，而是只需要在例化该事务交易处理器的时候，给虚接口绑定对应连接的实体接口即可。对于CDN的SiliconEnsemble而言后端设计所需的数据主要有是Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，分别以。以此来实现事务交易处理器的更大重用性。
虚接口的定义：
virtual interface_type variable;
虚接口可以定义为类的一个成员，可以通过构造函数的参数或者过程进行初始化。
虚接口应用的具体步骤：
到此，我们就可以在事务交易处理器中，编写针对该接口的通用方法（如request和wait_for_bus），只要针对虚接口进行操作就可以，而该虚接口不针对特定的具体器件，只有在事务交易处理器的对象例化创建时，根据具体传递给他参数确定。
数字ic后端设计(一)
1. 数据准备。
对于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端设计所需的数据主要有是Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/O Pad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，分别以.lef、.tlf和.v的形式给出。03与元器件关系紧密对于数字电路来说是没有噪音和失真的，数字电路设计者完全不用考虑这些因素。前端的芯片设计经过综合后生成的门级网表，具有时序约束和时钟定义的脚本文件和由此产生的.gcf约束文件以及定义电源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。(对synopsys 的Astro 而言，经过综合后生成的门级网表，时序约束文件 SDC是一样的,Pad的定义文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件就与FRAM, CELL view, LM view 形式给出(Milkway 参考库 and DB, LIB file)
2. 布局规划。
主要是标准单元、I/O Pad和宏单元的布局。I/OPad预先给出了位置，而宏单元则根据时序要求进行摆放，标准单元则是给出了一定的区域由工具自动摆放。，m-1位，位是第0位，位是第m-1位），然后将相乘的结果按十进制数相加，就可以得到等值的十进制数。布局规划后，芯片的大小，Core的面积，Row的形式、电源及地线的Ring和Strip都确定下来了。如果必要在自动放置标准单元和宏单元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .
3. Placement -自动放置标准单元。
布局规划后，宏单元、I/O Pad的位置和放置标准单元的区域都已确定，这些信息SE（SiliconEnsemble）会通过DEF文件传递给(PhysicalCompiler),PC根据由综合给出的.DB文件获得网表和时序约束信息进行自动放置标准单元，同时进行时序检查和单元放置优化。常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、金线焊接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。如果你用的是PC Astro那你可用write_milkway, read_milkway 传递数据。
数字ic后端设计（三)
9. Dummy Metal的增加。
Foundry厂都有对金属密度的规定，使其金属密度不要低于一定的值，以防在芯片制造过程中的刻蚀阶段对连线的金属层过度刻蚀从而降低电路的性能。加入Dummy Metal是为了增加金属的密度。
10. DRC和LVS。
DRC是对芯片版图中的各层物理图形进行设计规则检查(spacing ,width)，它也包括天线效应的检查，以确保芯片正常流片。这是一个有趣的话题，电阻、电容、电感的相互作用，产生和干扰，也是数字电路要解决的重要问题。LVS主要是将版图和电路网表进行比较，来保证流片出来的版图电路和实际需要的电路一致。DRC和LVS的检查--EDA工具 Synopsy hercules/ mentor calibre/ CDN Dracula进行的.Astro also include LVS/DRC check commands.
11. Tape out。
在所有检查和验证都正确无误的情况下把后的版图GDSⅡ文件传递给Foundry厂进行掩膜制造。
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I老化原因？C
为什么老化跟时间有关？
为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。另外，前面提到的断裂的Si-H键是可以自己***的，所以基于断键的老化效应都有***模式。对于NBTI效应来说，加反向电压就会进***模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入***模式。AstroalsoincludeLVS/DRCcheckcommands。但是这两种方式都不可能长时间发生，所以总的来说，芯片是会逐渐老化的。
为什么老化跟温度有关？
为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，Si?HSi?H键断键几率就大。
为什么加压会加速老化？
为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的***效应，自然老化就快了。