镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：
烘烤温度：真空室抽气时烘烤有利于真空室和工件解吸已吸附的空气和水气，这是保证膜色调纯正的重要因素之一。要注意的是，我们的设备一般采用加热棒烘烤，以热电偶测温，热电偶的感温端位置不能靠近发热棒，否则不能反映炉内环境和工件的实际温度。
离子轰击：指利用高能高密度的金属离子流和ya离子流对工件进行离子轰击清洗，能有效去除工件表面的氧化物；但需注意工件温升过热退火和轰出表面缺陷。
镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响
靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。
靶功率；它是离子溅射镀膜的基础，即离子溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到。磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。
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现有镀膜工艺，多数均要求事先对工件进行严格清洗，既复杂又费事。然而，离子镀工艺自身就有一种离子轰击清洗作用，并且这一作用还一直延续于整个镀膜过程。清洗效果，能使镀层直接贴近基体，有效地增强了附着力，简化了大量的镀前清洗工作。
