小方分子提纯设备
主要用途：
用来生长有机材料提纯的研究工作。
系统组成: 该类设备为单室结构。
技术指标：
极限真空≤610-4Pa，有机无机热蒸发镀膜机，工作压力≤2*10-3Pa；
系统漏率≤6.7×10-7PaL/s。
镀膜室：腔室尺寸约为Φ50×350mm，石英材料，圆柱形结构。
抽气系统：采用分子泵 机械泵抽气系统；
样品可加热，加热温度为：200-600℃；
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统
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电阻热蒸发镀膜——“蒸发技术”介绍
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蒸发技术分为间歇蒸发与连续蒸发、直接电阻加热蒸发和间接电阻加热蒸发，连续生产与制造厚膜时采用连续蒸发加热。一个入射的蒸气原子在表面的滞留时间中，原子不断地扩散形成不均匀的成核作用，随着蒸气原子不断地冲击表面，有机无机热蒸发镀膜机供应，各个核都在增长，350型四源有机无机热蒸发镀膜机供应，相邻各核开始接触进入聚结阶段，直到形成连续膜。也可把上述过程划分为小岛阶段、网络阶段、孔阶段及连续膜阶段。
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300C有机无机联合蒸发
主要用途：
用于制备导电薄膜，半导体薄膜，铁电薄膜，光学薄膜等。
系统组成:
该蒸镀设计系统主要由真空抽气及真空测量系统、真空室系统、工件架系统、蒸发源系统、膜厚测试系统、蒸发舟挡板系统、烘烤照明系统、水冷却循环及报警系统、电控及控制系统、辅助系统等设计。
技术指标：
极限真空度：≤6.7×10 Pa
***真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：Ф400 x400mm圆筒型真空室 ，
蒸发源：1-4个，采用电阻蒸发舟、蒸发蓝、绞丝、束源炉至下向上蒸发镀膜。
蒸发温度：加热温度：室温～1800℃；
蒸发舟在距中心100～160mm的圆周上；蒸发舟可上下升降，调节幅度0～150mm（样品中心与坩埚距离150~300mm）；
工作架类型及尺寸：样品托盘直径Φ300mm，其上可放多个直径20mm的小样品；样品托盘具有自转功能，转速在0～20 转/分钟，转速可调；样品托盘可摆角，角度在0～30度可调；
烘烤温度：400℃数显自动热偶控温（高温炉盘，350型四源有机无机热蒸发镀膜机厂，数显自动热偶控温可加热到700℃）
电阻蒸发源：电压5V，10V，功率2.5KW，水冷电极1~4对
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?
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