数字ic后端设计（二)
4.时钟树生成(CTS Clock tree synthesis) 。
芯片中的时钟网络要驱动电路中所有的时序单元，所以时钟源端门单元带载很多，其负载很大并且不平衡，需要插入缓冲器减小负载和平衡。时钟网络及其上的缓冲器构成了时钟树。一般要反复几次才可以做出一个比较理想的时钟树。---Clock skew.
5. STA 静态时序分析和后。
时钟树插入后，每个单元的位置都确定下来了，工具可以提出GlobalRoute形式的连线寄生参数，此时对参数的提取就比较准确了。SE把.V和.SDF文件传递给PrimeTime做静态时序分析。如果你用的是PC Astro那你可用write_milkway,read_milkway传递数据。确认没有时序违规后，将这来两个文件传递给前端人员做后。对Astro 而言，在detail routing 之后，
用starRC XT 参数提取，生成的E.V和.SDF文件传递给PrimeTime做静态时序分析，那将会更准确。
6. ECO(Engineering Change Order)。
针对静态时序分析和后中出现的问题，对电路和单元布局进行小范围的改动.
7. Filler的插入(pad fliier, cell filler)。
Filler指的是标准单元库和I/O Pad库中定义的与逻辑无关的填充物，用来填充标准单元和标准单元之间，I/O Pad和I/O Pad之间的间隙，它主要是把扩散层连接起来，满足DRC规则和设计需要。
8. 布线(Routing)。
Global route-- Track assign --Detail routing--Routing optimization布线是指在满足工艺规则和布线层数限制、线宽、线间距限制和各线网可靠绝缘的电性能约束的条件下，根据电路的连接关系将各单元和I/OPad用互连线连接起来，这些是在时序驱动(Timing driven )的条件下进行的，保证关键时序路径上的连线长度能够。由于潮湿敏***元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitchdevice)和球栅阵列(BGA,ballgridarray)使得对这个失效机制的关注也增加了。--Timing report clear
IC产品的温馨提示
提示：湿度总是困扰在电子系统背后的一个难题。不管是在空气流通的热带区域中，还是在潮湿的区域中运输，潮湿都是显著增加电子工业开支的原因。特殊应用型模拟IC主要应用在通信、汽车、电脑周边和消费类电子等四个领域。由于潮湿敏***元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ballgrid array)使得对这个失效机制的关注也增加了。基于此原因，电子制造商们必须为预防潜在灾难***高昂的开支。
吸收到内部的潮气是半导体封装问题。当其固定到PCB 板上时，回流焊快速加热将在内部形成压力。需求层面：模拟类产品下游汽车、工业用途要求以可靠性、安全行为主，偏好性能成熟稳定类产品的同时资格认可相对较为严格，一般不低于一年半。这种高速膨胀，取决于不同封装结构材料的热膨胀系数（CTE）速率不同，可能产生封装所不能承受的压力。当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。
常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、金线焊接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。在一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。尽管现在，进行回流焊操作时，在180℃ ~200℃时少量的湿度是可以接受的。不管是在空气流通的热带区域中，还是在潮湿的区域中运输，潮湿都是显著增加电子工业开支的原因。然而，在230℃ ~260℃的范围中的无铅工艺里，任何湿度的存在都能够形成足够导致***封装的小（爆米花状）或材料分层。
必须进行明智的封装材料选择、仔细控制的组装环境和在运输中采用密封包装及放置干燥剂等措施。尺寸缩小有其物理限制不过，制程并不能无限制的缩小，当我们将晶体管缩小到20奈米左右时，就会遇到量子物理中的问题，让晶体管有漏电的现象，抵销缩小L时获得的效益。实际上国外经常使用装备有射频标签的湿度跟踪系统、局部控制单元和专用软件来显示封装、测试流水线、运输/操作及组装操作中的湿度控制。②THB: 加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test ）
目的: 评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程测试条件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias
数字IC自动测试设备
集成电路(Integrated Circuit,IC)测试是集成电路产业的一个重要组成部分,它贯穿IC设计、制造、封装、应用的全过程。集成电路晶圆(Wafer Test)测试是集成电路测试的一种重要方法,是保证集成电路性能、质量的关键环节之一,是发展集成电路产业的一门支撑技术。当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。而IC自动测试设备(Automatic Test Equipment,ATE)是实现晶圆测试必不可少的工具。 首先介绍数字IC自动测试设备的硬件系统设计架构,分析了板级子系统的硬件结构及功能。
***讨论了数字IC自动测试设备中两种关键的测试技术:逻辑功能测试和直流参数测量,在系统分析其工作原理和测试方法的基础上,设计了硬件电路,并通过实验平台分别验证了电路的测试功能。 在IC自动测试设备中,实现直流参数测量的模块称为参数测量单元(Parametric Measurement Unit,PMU)。NanoSim(Star-SIMXT)NanoSim集成了业界的电路技术，支持Verilog-A和对VCS器的接口，能够进行电路的工具，其中包括存储器和混合信号的。PMU的测量方法有两种,加压测流和加流测压。为了验证所设计的直流参数测试单元硬件电路,在的第四章介绍了一种构建简单自动测试系统的验证方法。
针对一种DC-DC开关电源转换芯片,首先详细分析了该芯片各项参数的测试原理,设计了以MCU作为控制核心、集成2个PMU和其他一些硬件电路的简单测试板;然后根据芯片的测试要求设计了流程控制程序;后,通过实验验证了测试板的PMU能够满足参数测量精度要求。 的后部分,详细列出了直流参数测量单元验证板对19片WAFER的测试统计数据。芯片组的识别也非常容易，以Intel440BX芯片组为例，它的北桥芯片是Intel82443BX芯片，通常在主板上靠近CPU插槽的位置，由于芯片的发热量较高，在这块芯片上装有散热片。实验表明,PMU模块的电压测试精度为0.5%以内,微安级电流的测试精度为5%以内,自动测试过程中没有出现故障。验证了PMU模块能够满足数字IC自动测试设备的直流参数测试要求。