目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，ZnO晶体价格，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。
ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料，ZnO晶体基片哪家好，高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义.目前，ZnO晶体的生长方法主要有气相法，水热法和助熔剂法.以MOH(KOH，NaOH，氧化锌ZnO晶体，LiOH或其组合) H2O为助熔剂的方法简称碱液法，晶体的生长温度在480℃左右。我们以KOH LiOH H2O为助熔剂，利用自发成核法不仅在480℃左右生长出了ZnO晶体，ZnO晶体，而且还在400℃以下生长出了无色透明的体块晶体，经XRD检测晶体为纤维锌矿ZnO
氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
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