将硅微粉添加到耐火浇注料中已成为改善产品性能的关键因素。 耐火浇注料的强度主要来自硅微粉广泛使用之前使用的高铝水泥。 高铝水泥中CaO的质量分数高达5%-8%。 它对耐火浇注料在中等温度下的性能影响很大。一方面,高温下低熔点的形成降低了耐火浇注料的高温使用性能。 另一方面,由于在高铝水泥中需要CaO水合反应,因此水的使用量增加,导致可浇铸的***松散。 另外,中等温度的高铝水泥水合物的结晶形式发生变化,浇注料的强度降低,因此传统的浇注料不能满足工业需求。 通过使用超细粉末,分散剂和准确的颗粒分级等,可浇铸物中的水泥量减少到7%以下,从而使高铝水泥带来的CaO质量分数小于2.5% ,并将水消耗降低到4%?7%,从而改善了浇铸料的性能。 这就是未成型的耐火浇注料中所谓的硅微粉的重要性。
球形硅微粉,主要用于大规模和超大规模集成电路的封装上,根据集程度(每块集成电路标准元件的数量)确定是否球形硅微粉,当集程度为1M到4M时,已经部分使用球形粉,8M到16M集程度时,已经全部使用球形粉。250M集程度时,集成电路的线宽为0.25μm,当1G集程度时,集成电路的线宽已经小到0.18μm,目前计算机PⅣ 处理器的CPU芯片,就达到了这样的水平。这时所用的球形粉为更的,主要使用多晶硅的下脚料制成正硅酸乙脂与四水解得到SiO2,也制成球形其颗粒度为 -(10~20)μm可调。这种用化学法合成的球形硅微粉比用天然的石英原料制成的球形粉要贵10倍,其原因是这种粉基本没有性α射线污染,可做到0.02PPb以下的铀含量。当集程度大时,由于超大规模集成电路间的导线间距非常小,封装料性大时集成电路工作时会产生源误差,会使超大规模集成电路工作时可靠性受到影响,因而必须对性提出严格要求。而天然石英原料达到(0.2~0.4) PPb就为好的原料。现在国内使用的球形粉主要是天然原料制成的球形粉,并且也是进口粉。
一般集成电路都是用光刻的方法将电路集中刻制在单晶硅片上,然后接好连接引线和管角,再用环氧塑封料封装而成。塑封料的热膨胀率与单晶硅的越接近,集成电路的工作热稳定性就越好。单晶硅的熔点为1415℃,膨胀系数为3.5PPM,熔融石英粉的为(0.3~0.5)PPM,环氧树脂的为(30~50)PPM,当熔融球形石英粉以高比例加入环氧树脂中制成塑封料时,其热膨胀系数可调到8PPM左右,加得越多就越接近单晶硅片的,也就越好。而结晶粉俗称生粉的热膨胀系数为60PPM,结晶石英的熔点为1996℃,不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉),所以中集成电路中不用球形粉时,也要用熔融的角形硅微粉。这也是球形粉想用结晶粉为近球形不能成功的原因所在。效果不行,走不通;10年前,包括现在我国还有人走这条路,从以上理论证明此种方法是不行的。即塑封料粉不能用结晶粉取代。