磁珠的选型
磁珠主要用于***电磁干扰差模噪声。它们的DC阻抗很小，但在高频时阻抗很高。一般来说，600R是指在100兆赫兹测试频率下的阻抗值。选择磁珠时应考虑两个方面:一是电路中的噪声干扰，二是要通过的电流量。为了大致了解噪声的频率和强度，不同磁珠的频率阻抗曲线是不同的，应选择在噪声中心频率处具有较高磁珠阻抗的磁珠。如果噪声干扰大，阻抗应该更高，但不是越高，越好，因为阻抗越高，DCR越高，有用信号的衰减越大。但是，一般没有明确的计算和选择标准，主要取决于实际使用效果，一般采用120R-600R。然后它取决于通过的电流。如果用于电力线部分，应选择额定电流较高的型号。如果用于信号线部分，额定电流要求一般不高。此外，磁珠的额定电流通常较小，阻抗较高。磁珠的选择应基于实际情况。例如，对于3.3V和300毫安的电源，要求3.3V不能低于3.0V。那么磁珠的DC电阻DCR应该低于1R。在这种情况下，通常选择0.5R来防止参数漂移。对于噪声***能力，假设负载为45欧姆，如果要求100兆赫兹和300兆赫兹的噪声通过磁珠后达到50兆赫兹，则应选择dcr1r和225R的磁珠。225 r是如何计算的？(45欧姆/50毫伏)* 250毫伏=225欧姆
磁珠滤波的道理
在实际应用中，铁氧体材料被用作射频电路的高频衰减器。实际上，铁氧体相当于电阻和电感的并联。电阻器在低频时被电感器短路，而在高频时电感器的阻抗变得相当高，因此所有电流都通过电阻器。铁氧体是一种有损耗的装置，在其上高频能量被转换成热能，热能由它的电阻特性决定。
与普通电感相比，铁氧体磁珠具有更好的高频滤波特性。铁氧体在高频时具有电阻性，相当于低品质因数的电感，因此可以在较宽的频率范围内连接高阻抗，从而提高高频时的滤波效率。
阻抗是由电感的感抗形成的，低频时电阻很小，磁芯磁导率很高，所以电感很大，L起次要作用，电磁干扰被反射和***；此时，磁芯的损耗很小，具有高Q特性的电感有时会表现出使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。阻抗由电阻元件构成。随着频率的增加，磁芯的磁导率降低，导致电感和感抗分量减小。然而，此时，磁芯和电阻元件的损耗增加，这导致总阻抗增加。当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被接收并转化为热能而消散。
铁氧体***元件广泛用于印刷电路板、电源线和数据线。如果在印刷电路板的电源线入口端增加铁氧体***元件，可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠通常用于***信号线和电源线上的高频干扰和峰值干扰，还具有接收静电放电脉冲干扰的能力。
如何区分电感与磁珠？
在电子元件领域，你应该听过“感应磁珠”这个词。许多人混淆了感应器和磁珠，认为它们都是“直接连接和电阻”。事实上，它们之间的差别相当大。你可以说磁珠是感应器，但你不能说感应器是磁珠，它们的范围完全不同。让我们教你如何区分它们。
1.理论上，磁珠本身是耗能元件，而理论上，感应器不消耗能量。
2.感应器的磁性材料不是封闭的，典型的结构是磁棒。一部分磁力线穿过磁性材料(磁棒)，另一部分在空气中；磁珠的磁性材料是封闭的，典型的结构是磁环。几乎所有磁力线都在磁环中，不会发射到空气中。
3.磁环中的磁场强度不断变化，这将在磁性材料中感应出电流。选择具有高磁滞系数和低电阻率的磁性材料可以将这些高频能量转换成热能并消耗掉。相反，有必要选择低磁滞系数和高电阻率的磁性材料，以使电感在整个频带内尽可能表现出一致的电感值。
1.骨骼
骨架一般指用于缠绕线圈的支架。一些大型固定电感或可调电感(如振荡线圈、扼流圈等。)大多是将漆包线(或纱包线)缠绕在骨架上，然后放置磁芯、铜芯、铁芯等。以提高它们的电感。
骨架通常由塑料、胶木和陶瓷制成，根据实际需要可以制成不同的形状。通常，小电感(如色码电感)不使用骨架，而是直接将漆包线缠绕在磁芯上。空芯电感器(也称为生线圈或空芯线圈，主要用于高频电路)不需要磁芯、骨架和屏蔽，而是先缠绕在模具上，然后拆下模具，将线圈分开一定的距离。
片式磁珠
磁珠专门用于***信号线和电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。片状磁珠由软磁铁氧体材料组成，形成高体积电阻率的单片结构。使用芯片磁珠的优点包括小型化和重量轻、射频噪声频率范围内的高阻抗、消除传输线中的电磁干扰、闭合磁路结构、更好地消除信号的串联绕组、的磁屏蔽结构、降低DC电阻以避免游泳信号的过度衰减、显著的高频特性和阻抗特性、消除高频放大电路中的寄生振荡以及在几兆赫到几百兆赫的频率范围内有效工作。
要正确选择磁珠，必须注意以下几点:
1.不必要信号的频率范围是多少？
2.谁是噪音源？
3.需要多大的噪声衰减；
4.环境条件是什么(温度、DC电压、结构强度)；
5.电路和负载的阻抗是多少？
6.印刷电路板上有防止磁珠的空间吗？
前三个可以通过观察制造商提供的阻抗频率曲线来判断。阻抗曲线中有三条曲线非常重要，即电阻、感抗和总阻抗。总阻抗由ZR22πfL()2 :=fL () 2:=FL描述。根据该曲线，选择在期望噪声衰减的频率范围内具有大阻抗并且在低频和DC具有小信号衰减的磁珠类型。在过高的DC电压下，芯片磁珠的阻抗特性会受到影响。此外，如果工作温度升高过高或外部磁场过大，磁珠的阻抗将受到不利影响。