




光刻胶的分类
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硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:(1)将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;(2)在后续工艺中,保护下面的材料(例如刻蚀或离子注入阻挡层)。
分类
光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,光阻剂光刻胶生产厂家,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
光刻胶介绍
光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
从技术水平来看,在PCB领域,国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力,光阻剂光刻胶价格,已经实现对主流厂商大批量供货。
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如何选购光刻胶?
光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在曝光之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,光阻剂光刻胶哪里有,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未曝光的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未曝光的区域将溶解,光阻剂光刻胶,而曝光的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的,因此在IC制造中的应用更为普及,但MEMS系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。

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