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铜钼铜层状复合材料具有较低的热膨胀系数和高热导率，是作为高功率芯片热沉的理想材料。针对铜钼铜层状复合材料的特点，以高功率功放模块的载板为例，进行机械加工和表面镀金的工艺验证，铜钼铜合金，尺寸精度和表面镀层满足要求，同时，可靠性验证表明，铜钼铜层状复合材料能够有效应用于大功率芯片的热沉。
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铜钼铜复合材料具有良好的导电导热性及综合力学性能等优点，在高能电子器件、导罩等领域具有广阔的应用前景。然而目前铜钼铜复合材料中钼主要以颗粒状的形式存在，限制了钼高强性能的发挥。本文采用造孔剂法结合液相熔渗的方法制备出三维连通网状结构铜钼铜复合材料(Mo/Cu IPCs)。
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钨铜热沉封装微电子材料产品介绍：通过调整钨成分的比例，其热膨胀系数可以与其他材料形成良好的热膨胀比例，如各类陶瓷（氧化铝Al2O3，氧化铍（BeO）、金属材料（可伐合金Kovar）和半导体材料（碳化硅Sic）等等。
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