电容的用途
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。
1．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。
2．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关组件。
3．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，南京电解电容，一 电容储存的电能可以供一个手机使用一天。
如何测试电容的好与坏？？
测试电容的好坏有以下两种
办法1:用指针万用表将认意一根表笔触摸电容一只脚,然后用另外一根触摸另一只,这时表针会敏捷上升然后缓慢下降,这就是电容的充放电过程,阐明电容是好的,假如没改变,那么交流表笔会呈现上述现象的话,也阐明是好的,假如都不呈现充放电或表针上升后不下降就是电容坏了 。不下降就是里边击穿了，表针一点不动就是失效了，大电容用1X10档小电容用1X1K或1X10K档量。高压电容器是由圆筒体、筒体顶部、平盖或半球形形封头、密封元件以及一些附件组成。
办法2：用数字式万用表测电容：将档位打到电容（依据你测的电容值选档），测验时用两个表笔搭接电容的两个脚，表有必定的数值，然后回到无量大位，互换表笔再试一次，这次显现数据巨细略有误差，再回到无量大，阐明电容是好的，如不能回无量大，阐明漏电，如显现无量大，阐明内部断路或没容量了。由于低压电容器内部一般均装有元件保护熔丝，因此这种事故多发生在没有安装内部元件保护的高压电容器组。
使用薄膜电容需要注意什么
作业电压
薄膜电容器答应施加的较高电压，受所施加的电压波形、电流波形、频率、环境温度（电容器表面温度）、电容量等
要素的影响。运用前请先查看施加的电容器两头的电压波形、电流波形和频率是否在规则值内。（在高频场合，答应电
压随电容器类型的不同改动，详细资料请参阅规范书）
1.1、额外电压与作业电压
在正常运用条件下，薄膜电容器的作业电压不能超出其额外电压，不然会使薄膜的绝缘功能劣化而导致击穿。但对
有自愈才能的金属化电容器，有时不会当即发作击穿，但绝缘电阻会下降，某些电路还会导致电容器冒烟或起火。
如标示直流电压的电容器用在沟通电路中，产品的较大作业电压会受发热和放电的约束。转换成沟通的较大作业电
压随电容器类型的不同而改动
电容器的投切方式二
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次
电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。电解电容器特点二：额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f（但不能和双电层电容比）。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右
