反应性离子刻蚀
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反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，挥发或游离出板面，这样的方法称为反应性离子刻蚀。
离子束刻蚀机的特点
刻蚀过程是纯物理溅射，可以刻蚀任何固体材料;平行离子束刻蚀，高各向异性;无钻蚀;精度高，分辨率lt;0.01um.
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离子束刻蚀机
离子束刻蚀是从工件上去除材料，是一个撞击溅射过程。
当离子束轰击工件，入射离子与靶原子碰撞时将动能传递给靶原子，使其获得的能量超过原，子的结合能，导致靶原子发生溅射，从工件表，面溅射出来，以达到刻蚀的目的。
刻蚀加工时，对离子入射能量、束流大小、离子入射角度以及工作室压力都需要根据不同的加工需求进行调整。
离子束刻蚀可以在加工、表面抛光、石英晶体谐振器制作等方面得到应用。
加工
离子束刻蚀可达到很高的分辨率，适合刻蚀精细图形。离子束加工小孔的优点是孔壁光滑，邻近区域不产生应力和损伤能加_工出任意形状的小孔，且孔形状只取决于掩模的孔形。
加工线宽为纳米级的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上，用电子束蒸镀10nm的金一铝(60/40)膜。
首先将样品置于真空系统中，其表面自然形成---种污染抗蚀剂掩模，用电子束***显影后形成线宽为8nm的图形，然后用ya离子束刻蚀，离子束流密度为0.1mA/cm， 离子能量是1keV;另一种是在20nm厚的金一钯膜上刻出线宽为8nm的图形、深宽比提高到2.5:10。 由此可见离子束加工可达到很高的精度。
