氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119，废耐火砖长年回收，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，废耐火砖，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会。在不太高的温度下，Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性，废耐火砖大量回收，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，废耐火砖常年回收，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。
氮化硅制品按工艺可以分为反应烧结制品、热压制品、常压烧结制品、等静压烧结制品和反应重烧制品等。其中，反应烧结是一种常用的生产氮化硅耐火制品的方法。
反应烧结法生产氮化硅制品是将磨细的硅粉（粒度一般小于80μm），用机压或等静压成型，坯体干燥后，在氮气中加热至1350～1400℃，在烧成过程中同时氮化而制得。采用这种生产方法，原料条件和烧成工艺及气氛条件对制品的性能有很大的影响。
常压烧结法（ PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷***致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似。
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