经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。
蚀刻:一种将材料使用bai化学反应或物理撞击作用而du移除的技术。通常所指蚀刻也称光化学蚀刻,指通过***制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
正胶显影:正性光刻i胶的***区的光刻胶在显影液中溶解,在光刻胶上形成三维图形。
负胶显影:在负性光刻胶的非***区的光刻胶在显影液中溶解,在光刻胶上形成三维图形。
正胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率,其他特性如,台阶覆盖好、对比度好;粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
负胶的特性为,具有良好的粘附能力和阻挡作用、感光速度快;显影时发生变形和膨胀,所以只能用于2μm的分辨率。
蚀刻:蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。
这被称作为“抗蚀层”。在蜡层中刻出图案,使底下的金属部分显露出来。制备好的金属材料被浸渍在盐酸或者肖酸溶液中,直至其暴露的区域被刻蚀到所需的深度。之后将抗蚀层清除,就可展现出蚀刻的成品样子。烫金或者发黑都可以被用于突出图案。金属蚀刻制品上的图案往往比传统雕刻更方便而代价更少。