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北京创世威纳科技有限公司

普通会员5
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企业等级:普通会员
经营模式:生产加工
所在地区:北京 北京
联系卖家:苏经理
手机号码:13146848685
公司官网:www.weinaworld.com.cn
企业地址:北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层
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企业概况

北京创世威纳科技有限公司成立于2008年,现位于北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层,拥有1800余平方米的组装、调试车间、办公区,现在我们更专注于真空等离子体技术,成为集研发、设计、生产、销售于一体的设备制造商。公司通过了ISO质量管理体系认证,获批高新技术企业,拥有4项发明专利......

磁控溅射台行业***在线为您服务「多图」

产品编号:2006192213                    更新时间:2020-10-26
价格: 来电议定
北京创世威纳科技有限公司

北京创世威纳科技有限公司

  • 主营业务:磁控溅射镀膜机,电子束/热阻蒸发机,ICP,RIE,IBE
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苏经理 13146848685

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产品详情







溅射镀膜机溅射镀技术应用

蒸发镀应用新型电极 引入装置,接触电阻小且可靠;磁控溅射应用镀膜材料广泛,各种非导磁的金属、合金均可作镀料;结构紧凑、占地面积小;磁控、蒸发共用两台立式工件车,操作 方便、。 (或双门蒸发、磁控两用机) 公司业务范围真空镀膜成套设备与技术,真空工程用各种泵、阀、真空计、油、脂、密封件,真空镀膜材料、涂料、金属及合金制品。真空设备故障诊断与排除、老 产品改造。新型塑料、金属、玻璃等制品表面处理工艺及技术研究,咨询服务。新技术、新设备、新工艺公司新开发的磁控、蒸发多用镀膜机,配用改进型高真空抽 气系统及全自动控制系统,抽速快、、操作简单、工作可靠;具有可镀膜系广、膜层均匀、附着力好、基板温度底等特点;是镀制金属、合金及化合物膜的理 想设备;适合镀制透明膜、半透明膜、超硬膜、屏蔽膜及一些特殊的功能性膜。发现机械泵油减少要添加,不要认为油要定期才更换,否者到了维护时,泵的转子可能会磨损严重。已广泛应用在光学、电子、通讯、航空等领域。


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磁控溅射

磁控溅射是物理的气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,而上世纪 70 年***展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,而上世纪70年***展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

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磁控溅射种类

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击Ar产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜,非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同,大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等,两极磁力线闭合于靶面,很好地将电子/等离子体约束在靶面附近,增加碰撞几率,提高了离化效率,因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电,靶材利用率相对较高,但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面,基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念,即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极,两极磁力线在靶面不完全闭合,部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域,从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片,增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡,若磁铁静止,其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率,可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构,同时溅射速率要减小。磁控溅射镀膜的特点1、靶材粒子能量高(比热蒸发高出1个数量级),所制备膜层更致密,与石英片结合力更高:2、一般备有辅助离子源,可以用来清洗石英片,清洗效果好。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备,多用磁场静止靶源。

创世威纳本着多年磁控溅射镀膜机行业经验,专注 磁控溅射镀膜机研发定制与生产,***的磁控溅射镀膜机生产设备和技术,建立了严格的产品生产体系,想要更多的了解,欢迎咨询图片上的***电话!!!










磁控溅射镀膜机

目前认为溅射现象是弹性碰撞的直接结果,溅射完全是动能的交换过程。当正离子轰击阴极靶,入射离子当初撞击靶表面上的原子时,产生弹性碰撞,它直接将其动能传递给靶表面上的某个原子或分子,该表面原子获得动能再向靶内部原子传递,经过一系列的级联碰撞过程,当其中某一个原子或分子获得指向靶表面外的动量,并且具有了克服表面势垒(结合能)的能量,它就可以脱离附近其它原子或分子的束缚,逸出靶面而成为溅射原子。在集成电路芯片生产制造中的运用:塑料薄膜变阻器、薄膜电容器、塑料薄膜温度感应器等。

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