600V晶体管IPL60R180P6
制造商：Infineon Technologies
制造商零件编号：IPL60R180P6AUMA1
描述：MOSFET N-CH 600V 4VSON
对无铅要求的达标情况/对限制***物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制***物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏***等级（MSL）：2A（4 周）
详细描述：表面贴装 N 沟道 pval(2068) 22.4A（Tc） 176W（Tc） PG-VSON-4
规格
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 22.4A（Tc） |
| 驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） | 180 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） | 4.5V @ 750µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） | 44nC @ 10V |
| Vgs（***大值） | &plu***n;20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） | 2080pF @ 100V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（***大值） | 176W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-VSON-4 |
| 封装/外壳 | 4-PowerTSFN |
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