初步检查发现维修者拆焊手艺还不错，用万用表对比测试没有发现有元件损坏。于是检查编码器的输入电路部分，将XYZ轴的元件对比测试，当用万用表测量一个标称阻值100kΩ的贴片电阻时，万用表显示4M以上阻值，将此电阻拆下，发现其上焊锡脚已经脱落，形成开路，将此100kΩ电阻换掉，试机故障排除。
台湾产变频电源，输入220VAC，输出0~300VAC，40~60Hz可调正弦波电压，用于小家电产品电压性的测试。故障是一上电变频电源的接触器就跳闸。C200H-DA001该电源生产日期较早，没有任何说明书。检查功率模块GTR基本正常，其它各电路板也与好机对换，故障一样，所以故障一定在反馈元件。电压反馈是通过一个220V/22V的变压器取得，然后通过电阻***加至运算放大器变换。
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电流反馈是通过一个互感器取得，输出电源线在互感器上绕了数圈，感应出随电流成正比的电压加至检测电路。当将检测电压的变压器输出断开时，通电后变频电源不跳闸，但调节一下控制电压大小的电位器，输出电压会迅速从0窜至400V，并有蜂鸣器报警，应该是过压报警了。用万用表量变压器输出电压，发现输出电压随输入按1:10变化，符合得很好，所以百思不得其解。 变频器与其他设备进行通讯采用的是CONTROLNET通讯方式，组态软件应用的是RSView SE Client组态软件。各个客户端可以对PowerFlex7000型变频器进行实时的状态监测和控制，并对产生的数据进行***和保存。图5为九洲中压变频实验站系统原理图，变频实验站系统原理图，由于PowerFlex7000型变频器采用的是***的矢量控制系统，通过计算机软件和PLC程序可以利用PowerFlex7000型变频器进行各种负载特性实验，比如与电机速度成正比例的负载特性试验；与电机速度平方成比例的负载特性试验；阶梯仿真负载特性试验；用户自定义负载特性试验等等。图6是罗克维尔变频器对电机进行阶梯负载控制界面。
PWM变换器的控制技术是风力发电技术的核心技术之一，本文设计的PWM变换器是基于PI调节器的双闭环控制系统，并对提高网侧PWM变换器抗扰动性能的前馈控制策略进行了研究。采用改进的前馈控制策略，对于负载扰动和电网电压三相平衡跌落，具有很好的抗干扰能力。PWM变换器的数学模型和控制框图，PWM变换器d-q轴下的数学模型。
PWM整流器主电路，将三相静止对称轴系中PWM整流器的一般数学模型经坐标变换后，即得到VSR的dq模型，可解决对时变系数微分方程的求解，便于对参量解耦及获得控制策略。坐标系及矢量分解如图2所示，其中(d, q)轴系以电网基波角频率ω同步逆时针旋转。坐标系及矢量分解，根据幅值不变原理，进行矢量分解。
经推导，可得同步旋转(d, q)轴系下的PWM整流器数学模型，式中 ed, eq——电网电压E的d, q轴分量，ud, uq——VSR交流侧电压矢量U的d, q轴分量，id, iq——VSR交流侧电流矢量I的d, q轴分量。PWM整流器的控制策略，三相VSR控制系统设计采用双闭环控制，电压外环主要控制三相VSR直流侧电压稳定在值，电流内环按照电压外环输出的电流指令对有功无功电流进行控制，在同步旋转(d, q)轴系下电流控制器跟踪参考电生合适的参考电压。然后，参考电压矢量被转换到三相静止轴系中，C200H-DA001产生PWM脉冲，驱动开关。等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定,IGBT栅极与发射极之间的电压；
IGBT集电极与发射极之间的电压,流过IGBT集电极－发射极的电流,IGBT的结温。如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能***性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的***大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会***性损坏。
保护措施, 在进行电路设计时，应针对影响IGBT可靠性的因素，C200H-DA001有的放矢地采取相应的保护措施。栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为&plu***n;20V，如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化。