绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，C200HS-CPU21在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 通过控制电机的转矩来控制电机速度的，通过计算和测量电机速度，并按要求调整转矩使被测速度等于速度命令。电机和负载决定了定子频率并使变频器与电机同步，这与大多数V/F控制的交流变频器形成了对照，V/F控制的变频器是变频器决定定子频率并且不能使输出与电机同步。PowerFlex7000的控制方式是直接矢量控制。
术语矢量控制表明定子电流矢量的位置是相对于电动机磁通矢量而控制的。直接矢量控制意味着电机磁通可以测量，这与多数通用的间接矢量控制不同，间接矢量控制中电机的磁通是估算的。两种控制算法中，定子电流被分解为可以***控制的磁通分量 和正交转矩分量，矢量控制的目的就是获得与直流电动机相似的性能，可以快速改变转矩而不影响磁通。
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九洲中压变频实验站共有三台测试电机，一台1000KW，两台2000KW，电压等级分别是6000V和10000V，未来还要引进一台5000KW的电机，可进行带载测试达到5000KW。三台电机由连轴器连接成同轴电机，其中两台作为待测变频器测试电机，另外一台与A-B PowerFlex7000型变频器相连做负载电机，由于电流型变频器直流环节是电抗器而不是电容，并采用了对称的功率器件，直流侧电压方向可以改变，因此可将电机电能回馈电网，实现四象限运行。
在中大功率的开关电源装置中，IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点，已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中，由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下，使得它容易损坏，另外，电源作为系统的前级，由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大，故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而，在选择IGBT时除了要作降额考虑外，C200HS-CPU21对IGBT的保护设计也是电源设计时需要***考虑的一个环节。
等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
K型热电偶不能直接在高温下用于硫，还原性或还原，氧化交替的气氛中和真空中，也不用于弱氧化气氛中。（N型热电偶）镍铬硅-镍硅热电偶 镍铬硅-镍硅热电偶（N型热电偶）为廉金属热电偶，是一种***新国际标准化的热电偶，是在70年代初由澳大利亚实验室研制成功的它克服了K型热电偶的两个重要缺点：K型热电偶在300~500℃间由于镍铬合金的晶格短程有序而引起的热电动势不稳定；在800℃左右由于镍铬合金发生择优氧化引起的热电动势不稳定。
正极（NP）的名义化学成分为：Ni:Cr:Si=84.4:14.2:1.4，负极（NN）的名义化学成分为：Ni:Si:Mg=95.5:4.4:0.1，其使用温度为-200~1300℃。N型热电偶具有线性度好，热电动势较大，灵敏度较高，稳定性和均匀性较好，***化性能强，价格便宜，不受短程有序化影响等优点,其综合性能优于K型热电偶,是一种很有发展前途的热电偶。
N型热电偶不能直接在高温下用于硫，还原性或还原，氧化交替的气氛中和真空中，也不用于弱氧化气氛中。（E型热电偶）镍铬-铜镍热电偶 镍铬-铜镍热电偶（E型热电偶）又称镍铬-康铜热电偶，也是一种廉金属的热电偶，正极（EP）为：镍铬10合金，化学成分与KP相同，负极（EN）为铜镍合金，名义化学成分为：55%的铜，45%的镍以及少量的锰，钴，铁等元素。该热电偶的使用温度为-200~900℃。
V/f曲线设定，控制接口功能，设有0——10V/4~20mA模拟输入输出信号接口、C200HS-CPU21数字输入输出接口以及总线接口，总线接口可以选择现场控制或/和远程控制方式，参数设定功能，PID参数设定，全中文windows 操作界面，变频器参数设定方便，可打印输出运行报表。可以根据应用情况的不同，设定V/f控制曲线；