MOSFET/场效应管 SI2309
产品型号:SI2309
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
***小包装:3000PCS
P沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压(VDS):-60V
漏极电流(ID):-1..25A(VGS =-10V)
***(ON) < 340mΩ (VGS =-10V)
***(ON) < 550mΩ (VGS =-4.5V)
漏源电流脉冲IDM:-8A
栅源电压(VGS): &plu***n;20V
结温(TJ):150℃
储存温度(TSTG):-55~150℃
耗散功率(PD):1.25W
栅源极开启电压VGS(th):-1.0 ~ -3.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): &plu***n;100nA
特点:
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用:
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理