型号：2SC5200/2SA1943
NPN硅大功率晶体管
封装形式：TO-3PL
电特性：
极限值（除非另有规定Tamb=25℃）
|
参数名称
|
符 号
|
额定值
|
单 位
|
|
集电极—发射极电压
|
VCE0
|
&plu***n;230
|
V
|
|
集电极—基极电压
|
VCBO
|
&plu***n;230
|
V
|
|
发射极—基极电压
|
VEBO
|
&plu***n;5
|
V
|
|
集电极电流
|
IC
|
&plu***n;15
|
A
|
|
基极电流
|
IB
|
&plu***n;1.5
|
A
|
|
耗散功率
|
Pc
|
150
|
W
|
|
结 温
|
Tj
|
150
|
℃
|
|
贮存温度
|
Tstg
|
-55 ~ 150
|
℃
|
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
规范值
|
单位
|
||
|
***小
|
典型
|
***大
|
||||
|
集电极-基极截止电流
|
ICB0
|
VCB=&plu***n;230V,IE=0
|
—
|
—
|
&plu***n;5.0
|
uA
|
|
发射极-基极截止电流
|
IEB0
|
VEB=&plu***n;5V,IC=0
|
—
|
—
|
&plu***n;5.0
|
uA
|
|
集电极-发射极击穿电压
|
V(BR)CEO
|
IC=&plu***n;50mA, IB=0A
|
&plu***n;230
|
—
|
—
|
V
|
|
直流电流增益
|
hFE1
|
Vce=&plu***n;5V Ic=&plu***n;1A
|
&plu***n;55
|
—
|
&plu***n;160
|
|
|
hFE2
|
Vce=&plu***n;5V Ic=&plu***n;7A
|
&plu***n;35
|
&plu***n;60
|
—
|
||
|
集电极-发射极饱和电压
|
VCE(sat)
|
IC=&plu***n;8A, IB=&plu***n;0.8A
|
—
|
&plu***n;0.4
|
&plu***n;3.0
|
V
|
|
基极-发射极饱和电压
|
VBE
|
VCE=&plu***n;5V, IC=&plu***n;7A
|
—
|
&plu***n;1.0
|
&plu***n;1.5
|
V
|
|
特征频率
|
fT
|
Vce=&plu***n;5V，Ic=&plu***n;1A
|
—
|
30
|
—
|
MHz
|
|
a:脉冲测试
|
||||||