SiBar半导体浪涌保护元件(LT电子)
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型***
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斷態***壓
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轉折***壓
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通態壓降
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維持***流
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***間***容
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VDRM
V
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IDRM
μA
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VS
V
|
IS
mA
|
VT
V
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IT
A
|
IH
mA
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CO
pF
|
|
|
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MAX
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TYPE
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MAX
|
MAX
|
|
MIN
|
MAX
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BS0050N-C
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5
|
6
|
25
|
800
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4
|
1
|
15
|
85
|
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BS0060N-C
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6
|
5
|
25
|
800
|
4
|
1
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15
|
85
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浪拓电子浪涌保护器经特别设计专为保护敏感的电信设备免受浪涌和其他瞬态过压器件，该系列产品能够处理非常高的浪涌电流，并稳定的电气特性，高可靠性，低电容等***特性。