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蚀刻气体 (Etch ing gases) :蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来, 这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是, 图形边缘整齐, 线条清晰, 图形变换差小,储罐, 且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙丨烷、全氟丙丨烷、三氟甲丨烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精丨确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污, 所以其应用范围日益广泛。
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一般说来,二氧化碳储罐,痕量分析或毛细管色谱的载气纯化程度,要高于常规分析。特别是电子捕获、热导池检测器,载气纯度直接影响灵敏度和稳定性,一定要严格净化。
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求木之长必固其根,欲流之远必浚其源。立身处世,当以诚信为本。路漫漫其修远,乘博击长空之豪气,持海纳百川之胸襟,扬民族之风,兴民族之业,共展鸿鹄之志。
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