反射内存网主要是由反射内存板通过光纤等传输介质连接而成的。每个反射内存板都占有一段内存地址,网上任何计算机向本地反射内存板写数据时,欧姆龙C500-MR431该数据和相应的内存地址将被广播到网上所有其他反射内存板并存储在相同的位置[2]。于是,计算机将数据写入其本地反射内存板后,在极短的时间内,网上所有计算机的CPU都可以访问这个新数据。由于反射内存使用简单的读写方式,对CPU来说就相当于标准的RAM,而且反射内存的数据更新是通过硬件操作实现的,其延迟仅是仿真结点数n和所用带宽比例B%的函数,有:τ=f(n,B%)[3],延迟大大减小,保证了实时性。
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关于控制方式早期通用变频器如东芝TOSVERT-130系列、FUJI FVRG5/P5系列,SANKEN SVF系列等大多数为开环恒压比(V/F=常数)的控制方式。其优点是控制结构简单、成本较低,缺点是系统性能不高,比较适合应用在风机、水泵调这场合。具体来说,欧姆龙C500-MR431其控制曲线会随着负载的变化而变化;转矩响应慢,电视转矩利用率不高,低速时因定子电阻和逆变器死区效应的存在而性能下降稳定性变差等。对变频器U/F控制系统的改造主要经历了三个阶段;
八十年代初日本学者提出了基本磁通轨迹的电压空间矢量(或称磁通轨迹法)。该方法以三相波形的整体生成效果为前提,以逼近电机气隙的理想圆形旋转磁场轨迹为目的,一次生成二相调制波形。这种方法被称为电压空间矢量控制。典型机种如1989年前后进入中国市场的FUJI(富士)FRN5OOOG5/P5、SANKEN(三垦)MF系列等。②引人频率补偿控制,以消除速度控制的稳态误差③基于电机的稳态模型,用直流电流信号重建相电流,如西门子MicroMaster系列,由此估算出磁链幅值,并通过反馈控制来消除低速时定子电阻对性能的影响。
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