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扬州市苏尔电气有限公司

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欢迎登录苏尔电气官方网址:http://www.suerdq.com扬州市苏尔电气有限公司系集大电流发生器,互感器综合测试仪,微机继电保护测试仪,回路电阻测试仪,直流电阻测试仪直流高压发生器,试验变压器的研发、生产与销售为一体的高科技企业。公司秉承先进的研发管理理念,组建了技术力量雄厚的研发体系和高......

抗干扰介质损耗测试仪,抗干扰介质损耗测试仪-苏尔电气

产品编号:3447184                    更新时间:2020-08-16
价格: ¥1.00
扬州市苏尔电气有限公司

扬州市苏尔电气有限公司

  • 主营业务:直流高压发生器,直流电阻测试仪,回路电阻测试仪,大电流发生器
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产品详情

产品详细地址请点http:///079/
一、抗干扰介质损耗测试仪产品介绍
1、全自动化测试,中文操作界面,用户使用方便;仪器自带帮助菜单,方便用户对仪器进行故障分析。
2、抗干扰能力强,在500KV(甚至更高)电压等级下的变电站的现场也能保持结果稳定、可靠,不仅能单频测试,也可实现45/55Hz双频测试。
3、仪器的试验电压实行“缓升缓降”,有效的防止“容升”效应,保护试品和仪器的安全。
4、变频抗干扰介质损耗测试仪仪器实现过流过载的预前保护,能迅速切断试验电源,以保护试品和仪器的安全。
5、仪器测试电缆采用硅橡胶以及其他特种绝缘材料复合制作而成,轻便柔软,10KV电压等级下可拖地使用。
6、仪器附带电子万年历和大容量存储空间,可记忆100组测试数据。
7、仪器带有标准的RS232接口,仪器内大量测试数据可上传给大型计算机使用。
二、抗干扰介质损耗测试仪产品特性
  SEBJ-JW抗干扰介质损耗测试仪是用于超高压现场介损的测量,用变频抗干扰和傅立叶数字滤波技术,保持强电场干扰下测量数据稳定、可靠;测量结果由大屏幕双色液晶屏清晰显示,全中文操作界面,使用极其方便。

三、抗干扰介质损耗测试仪现场试验注意事项
如果使用中出现测试数据明显不合理,请从以下方面查找原因:
1搭钩接触不良
现场测量使用搭钩连接试品时,搭钩务必与试品接触良好,否则接触点放电会引起数据严重波动!如高压挂在引流线上时,因引流线氧化层太厚,或风吹线摆动,易造成接触不良。
2接地接触不良
 接地不良会引起仪器保护或数据严重波动。应刮净接地点上的油漆和锈蚀,务必保证0电阻接地!如果测量接地试品,试品地和仪器地应共地连接,保持地电位一致。
3直接测量CVT或末端屏蔽法测量电磁式PT
 直接测量CVT的下节耦合电容会出现负介损,应改用自激法。
 用末端屏蔽法测量电磁式PT时由于受潮引起“T形网络干扰”出现负介损,吹干下面三裙瓷套即可。也可改用常规法或末端加压法测量。
4空气湿度过大
空气湿度大使介损测量值异常增大(或减小甚至为负)且不稳定,必要时可加屏蔽环。因人为加屏蔽环改变了试品电场分布,此法有争议,可参照有关规程。
5测试线
由于长期使用和连接,易造成测试线芯线和屏蔽短路或插座接触不良,用户应经常维护测试线;
测试标准电容试品时,应使用全屏蔽插头连接,以消除附加杂散电容影响,否则不能反映出仪器精度;
自激法测量CVT时,高压线应吊起悬空,否则对地附加杂散电容和介损会引起测量误差。
6工作模式选择
接好线后请选择正确的测量工作模式(正、反等),不可选错。干扰环境下应选用45Hz/55Hz变频抗干扰模式。
7试验方法影响
由于介损测量受试验方法影响较大,应区分是试验方法误差还是仪器误差。出现问题时可首先检查接线,然后检查是否仪器故障。
8仪器故障
 用万用表测量一下测试线的芯线和屏蔽是否短路;输入电源220V过高或过低;接地是否良好。
 用正、反接线测一下标准电容器或已知容量和介损的电容试品,如果结果正确,即可判断仪器没有问题。 
四、抗干扰介质损耗测试仪技术参数
1、环境温度:0 ~ 40℃(液晶屏应避免长时日照) 
2、相对湿度:30% ~ 70% 
3、供电电源:电压:220V&plu***n;10%、频率:50&plu***n;1Hz 
4、外形尺寸:长×宽×高 500mm×300mm×400mm 
5、重量: 约18Kg 
6、输出功率:0.6KVA 
7、显示分辩率:3位、4位(内部全是6位) 
8、测量范围及输出电压选择: 
    介质损耗(tgδ):&plu***n;0.00~&plu***n;999% 
    试品电容容量(Cx)和加载电压: 
    2.5KV档:≤300nF(300000pF) 3KV档:≤200nF(200000pF) 
    5KV档:≤76nF(76000pF) 7.5KV档:≤34nF(34000pF) 
    10KV档:≤20nF(20000pF) 
9、基本测量误差: 
   介质损耗(tgδ):1%&plu***n;7个字(加载电流20uA~500mA) 
   介质损耗(tgδ):2%&plu***n;9个字(加载电流5uA~20uA) 
   电容容量(Cx):1.5%&plu***n;1.5pF

 

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