SS320A肖特基二极管-ASEMI-肖特基二极管

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摘要 : 快***二极管应用电路发热问题常见原因之-压降偏高，12年专注快***二极管生产经验，品质倍受信赖，大功率快***二极管供应商只有ASEMI.

【***的快***二极管品牌商-A***EI半导体】

快***二极管又被称作为超快***二极管，是一种适应高频率工作的功率器件。常用用于高频开关电源，变频器，肖特基二极管，逆变器，通信设备等等产品当中。台湾ASEMI半导体是隶属于台湾鼎芯国际的一家半导体公司，旗下快***二极管拥有全参数规格型号，品质好，性能稳定可靠，长期供应国内外各大实力公司，是电源领域的新***型企业。

【正向压降偏高-是导致快***二极管应用电路发热的常见原因】

压降偏高是导致快***二极管应用电路常见发热原因之一。快***二极管不同于整流桥产品，随着耐压的渐高，快***本身的压降会有明显升高。一般200V耐压快***二极管正向压降是1.05V，而400V耐压的快***正向压降就能提升到1.5V左右，压降放大之后功耗就会加大，自然的就会引起温度的升高。所以在选择快***二极管参数时，一定要精准计算电路参数情况，以便于能更加合理的选择快***耐压的参数。

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摘要 : 导读：ASEMI半导体领衔半导体新7纳米制程，为中国制造呐喊助威。2015开年以来，不管是经济还是政治，亦或是是文化，都在不断强调着中国制造这一口号，一个***要想成功发展，除了政治

导读：ASEMI半导体领衔半导体新7纳米制程，为中国制造呐喊助威。2015开年以来，不管是经济还是政治，亦或是是文化，都在不断强调着中国制造这一口号，一个***要想成功发展，除了政治、经济和文化，SS110A肖特基二极管，科技是另一块重要的模块。而在现如今这个电子的世界里，半导体行业的佼佼者，无疑占着***重要的版块…

现阶段，ASEMI半导体和其他的佼佼者芯片制造商，都处于同一个阶段，做着向10纳米制程过渡的准备。同时，7纳米的工艺制程也也在我们的考虑范围和研发计划当中。以下我们就讲讲几个思路。

如果说我们从材料方面来看的话，在晶体管方面，由于10纳米制造工艺与14纳米十分相似，但是依然有可能需要改变沟道的材料。而如果开始研究7纳米制造工艺的时候，我们需要考虑到像水平阵列中采用环栅(GAA)纳米线这样的问题，需要考虑到更多的转折点。

同时，SS210BF肖特基二极管，ASEMI半导体考虑到现在的电子器件越来越趋向于小体积化，那么我们的内部元器件体积也要跟着不断缩小，因此必须采用新的材料与新的器件结构及多种技术进行集成。 从器件功能看，改变沟道材料，采用载流子迁移率更大的材料是个好思路。

可是同时，ASEMI半导体也考虑到静电电压指标的问题，它是影响未来器件质量的关键因素。静电电压制表可以击穿二极管中的PN结，从而增大漏电流。这会使得我们的节点器件的寄生效应变成非常敏感和脆弱。

ASEMI半导体发现，在7纳米制程工艺中，寄生电容会占到芯片总电容的75%。随着工艺尺寸越来越小，相应的工作电压和工作电流也必须减少，可是这样却也会导致电路中有效的载流子数量减少，这就会出现一个结果，那就是电路中会缺乏推动电路正常工作的能力。

现如今，ASEMI半导体从器件结构考虑在7纳米以下时仍有许多不可知，或者不确定性，因此对于设备及工艺需要注意以下四个方面问题：

1.所有一切与界面相关需要精细材料工程的配合;

2.薄膜淀积可以采用原子层淀积(ALD)或者选择性薄膜，甚至与晶格匹配的工艺;

3.采用干法，选择性去除及直接自对准方法来定义图形;

4.3D工艺结构意味着高纵横比工艺及非平衡态工艺。

ASEMI半导体在研究过后得出的***终结果：显示采用精细材料工程可用来解决尺寸缩小带来的器件功能退化问题。

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摘要 : 利用二极管工厂原理测试二极管的好坏 测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1K档位(注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管)，再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。

利用二极管工厂原理测试二极管的好坏

测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1K档位(注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管)，再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。

1、正向特性测试

利用二极管单向导通的特性，二极管工作原理就是如此，SS320A肖特基二极管，把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极，红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。

2、反向特性测试

把万且表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。