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摘要 : 反向截止：当PN结加上反正电压，即P区接蓄电池负极，N区接蓄电池正极时，PN结处于截止状态，如图所示，试灯没有电流通过，不能点亮。 二极管接反向电压时，存在着一个耐压的问题
反向截止：当PN结加上反正电压，即P区接蓄电池负极，N区接蓄电池正极时，PN结处于截止状态，如图所示，试灯没有电流通过，不能点亮。
二极管接反向电压时，存在着一个耐压的问题：如果加在二极管的反向电压过高，二极管受不了，就会击穿，此时二极管不在处于截止状态，而是处于导通状态。如果我们设定一个击穿电压，当达到反向击穿电压时，二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了击穿电压，大芯片，二极管会怎么样？对于普通二极管，此时还会处于导通状态，这意味着二极管已经失去了反向截止的作用了。后面会提到一种稳压二极管，我们设定一个击穿电压，当达到反向击穿电压时，二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了击穿电压，二极管***到截止状态。
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摘要 : 导读：ASEMI半导体电子工程师教学：你需要掌握的五种基本模拟电路。每一个工程师入门都需要学习的，必然就是电子半导体的电路图，而半导体中***突出的就是我们的模拟电路。作为一名工程
导读：ASEMI半导体电子工程师教学：你需要掌握的五种基本模拟电路。每一个工程师入门都需要学习的，必然就是电子半导体的电路图，SS510A大芯片，而半导体中***突出的就是我们的模拟电路。作为一名工程师，不管你是不是菜鸟，都要先学会看懂这五种的基本模拟电路图。
首先是：ASEMI半导体主营产品之整流桥--桥式整流电路图
工程师都应该知道，我们的二极管是一种特殊的元器件，它具有单向导电性，应该在电路中常常被用作整流的作用，四个二极管便可以组成一个全桥式的整流桥，就如同电路图中端的四个***角，代表的正是四个二极管组成的整流桥。另外还有伏安特性曲线，理想开关模型和恒压降模型，桥式整流电流流向过程，输入输出波形，这都是做为一名工程师需要从图中看懂的信息，***重要的还要学会计算：Vo， Io，二极管反向电压。
第二种：电源滤波器。
ASEMI半导体虽然并不研发电源滤波器，但是电源滤波器的电路图，也是工程师应该学习的电路图。从这个图中，你需要看懂的是：电源滤波的过程分析，SS320BF大芯片，波形形成过程，另外就是要会计算：滤波电容的容量和耐压值选择。
第三种：二极管稳压电路。
工程师都知道，二极管家族当中有一种叫做稳压二极管的，下图就是稳压二极管的电路图，在这个图中，你需要看懂的是： 稳压二极管的特性曲线和稳压过程分析。同时，你需要了解稳压二极管应用注意事项。ASEMI半导体在研发电源过程中，也会涉及稳压二极管的设计和研发，但并不是主体研发项目，因此在这里也不详谈。
第四种：场效应管放大电路
场效应管也是半导体元器件中常见且基础的一种元器件，参照下图，你需要看懂：场效应管的分类，特点，结构，转移特性和输出特性曲线；场效应放大电路的特点；场效应放大电路的应用场合。
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摘要 : 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，***了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。我们从二极管工作原理来理解一下二极管的反向击穿
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，***了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 另一种雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，SS220B大芯片，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结损坏
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