各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,香槟金靶材技术,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气),香槟金靶材,磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。






1:金属镀钯,镀钯铜提钯技术:首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中,再加入自配退钯溶液,数秒中后表面钯退净,取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害,香槟金靶材加工,再用自配化学***,钯和溶液分离
2:合金含钯,铜钯合金提钯技术:把铜钯合金放入容器中,加入自配***把铜钯合金溶解成液体,再用自配化学***把钯和溶液分离。
3:废钯碳催化剂提钯,首先用物理原理把碳等有机物去除,剩下金属钯,再用化学***溶解金属钯,再进行下一步钯分离。
在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘,香槟金靶材制造,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构,TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
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