华为逆变器-天津金沃能源科技股份-华为逆变器报价

天津金沃能源科技股份有限公司积极投身于京津冀地区户用分布式光伏发电、工商业光伏发电、光伏扶贫等各项工作，截止2017年5月，累计完成项目5MW，项目安装点超过500个。为天津市新能源协会第三届理事会员，积极参与天津市光伏行业规范和标准的制定，为天津市光伏产业的发展献计献策，确保天津市光伏产业健康、可持续发展。

光伏逆变器

在光伏逆变器中运用新型SiCBJT可实现更低的系统成本。

碳化硅(SiC)的使用为BJT赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的器件。SiCBJT运用在光伏电源转换器中时，可实现良好效率，并且(也许更重要的是)能够使用更小、更便宜的元件，从而在系统级别上显着降低成本。

在过去30多年中，诸如MOSFET和IGBT之类的CMOS替代产品在大多数电源设计中逐渐取代基于硅的BJT，但是今天，碳化硅的新技术为BJT赋予了新的意义，特别是在高压应用中。

碳化硅布局以同等或更低的损耗实现更高的开关频率，并且在相同形状因数的情况下可产生更高的输出功率。运用了SiCBJT的设计也将使用一个更小的电感，并且使成本显着降低。虽然运用碳化硅工艺生产的BJT相较于仅基于硅的BJT会更昂贵，但是使用SiC技术的优势在于可在其它方面节省设计成本，从而实现更低的整体成本。本文介绍的升压转换器设计用于光伏转换阶段，其充分利用SiCBJT的优势，在显着降低系统成本的同时可实现良好的效率。

天津金沃能源科技股份有限公司积极投身于京津冀地区户用分布式光伏发电、工商业光伏发电、光伏扶贫等各项工作，截止2017年5月，累计完成项目5MW，华为逆变器报价，项目安装点超过500个。为天津市新能源协会第三届理事会员，积极参与天津市光伏行业规范和标准的制定，为天津市光伏产业的发展献计献策，确保天津市光伏产业健康、可持续发展。

测试项目

并网逆变器测试的项目必定包括三个部分：

安规测试部分 Electrical Safety

IEC EN 50178: Electronic equipment for use in power installati***

IEC EN 62109-1/2

对应国内标准 GB17799.1，GB17799.3

测试项目举例：

交流过电流测试

测试方法：

a.连接线路；

b.把控制面板上的AC_I的端子拔掉，在AC_I端子的2、4脚加入对应等效电流的交流电压信号。如图4。电流等效电压的关系：5A=1V。交流过电流整定值24A对应的等效交流电压为4.8Vrms.

c.电网频率为50Hz，加入对应频率的交流电压信号，从整定值的90%缓慢（0.1V步长）增加到过流保护点，记录此时电压V1，换算成电流值；

d.交流电压信号跳变：从0V开始跳变到V1 0.2，华为逆变器价格，从0V开始跳变到过流保护整定值110%，从0V开始跳变到过流保护整定值的150%，分别测量保护动作的时间；

e.电网的频率设为60Hz，重复c～d步骤；

判定标准：

1、交流过流，保护装置能正常动作（查看GB信号变为高电平），并且LED屏上显示故障一致；

2、保护点在保护整定值的5%内，整定值大不超过150%；

3、保护动作时间在0.5秒以内。

电磁兼容部分 EMC

IEC EN 61000-6-1; IEC EN 61000-6-3: emissi*** and immunity requirements for equipment in residential environments

天津金沃能源科技股份有限公司积极投身于京津冀地区户用分布式光伏发电、工商业光伏发电、光伏扶贫等各项工作，截止2017年5月，累计完成项目5MW，华为逆变器经销商，项目安装点超过500个。为天津市新能源协会第三届理事会员，积极参与天津市光伏行业规范和标准的制定，为天津市光伏产业的发展献计献策，确保天津市光伏产业健康、可持续发展。

碳化硅的优势

基于硅的BJT在高压应用中失宠有几方面原因。首先，华为逆变器，SiBJT中的低电流增益会形成高驱动损耗，并且随着额定电流的增加，损耗变得更糟。双极运行也会导致更高的开关损耗，并且在器件内产生高动态电阻。可靠性也是一个问题。在正向偏压模式下运行器件，可能会在器件中形成具有高电流集中的局部过温，这可能导致器件发生故障。此外，电感负载切换过程中出现的电压和电流应力，可能会导致电场应力超出漂移区，从而导致反向偏压击穿。这会严格限制反向安全工作区(RSOA)，意味着基于硅的BJT将不具有短路能力。

在运用碳化硅的新型BJT中不存在同样的问题。与硅相比，碳化硅支持的能带间隙是其三倍，可产生更大的电流增益，以及更低的驱动损耗，因此BJT的效率更高。碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此器件不太容易受到热击穿影响，并且要可靠得多。碳化硅在更高的温度下表现更出色，因此应用范围更为广泛，甚至包括汽车环境。

从成本角度而言，碳化硅的高开关频率在硬件级可实现成本节约。虽然相较于基于纯硅，基于碳化硅的BJT更昂贵，但SiC工艺的高功率密度将会转换为更高的芯片利用率，并且支持使用更小的散热器和更小的过滤器元件。从长远来看，使用更昂贵的碳化硅BJT实际上更省钱，因为整体系统的生产成本更低。我们设计的升压转换器就是一个例子。它设计用于额定功率为17千瓦的光伏系统中，具有600伏的输出电压，输入范围为400到530V。