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区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，纯钯靶材工艺，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，云南纯钯靶材，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。

近年，随着图像质量的提高，色粉直径也越来越小。在微孔孔径较大的发泡辊筒中，色粉进入辊筒的微孔内不易去除，所以存在图像混乱的问题。因此，对于使用微细色粉的高画质复印机和打印机用辊筒，特别是色粉供给辊，纯钯靶材厂家，要求更细的微孔。在制造发泡辊筒时，与间歇式方法相比，连续硫化处理法的优点是能够使发泡微孔的直径更小。以往的导电辊使用了不会因其中的导电性填充剂的不均匀而导致电阻值不均匀的离子导电性橡胶，但是问题在于很难采用经济上及效率上都有利的连续硫化法进行制造。

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