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摘要 : ASEMI半导体常常会接到客户的技术咨询，关于晶圆可以切割出多少芯片的问题，实际上，这取决于每一个晶圆的不同设计不同之外，还要考虑到良率的问题，我们正文一起探讨一下。
导读：ASEMI半导体常常会接到客户的技术咨询，关于晶圆可以切割出多少芯片的问题，实际上，这取决于每一个晶圆的不同设计不同之外，还要考虑到良率的问题，10A10(GPP大芯片)，我们正文一起探讨一下。
关于ASEMI半导体一片晶圆到底可以切割出多少的晶片数目的问题，首先我们要先解释的是业界上常说的6寸，12寸晶圆是指什么，(GPP大芯片)，其实这说的是晶圆直径，我们的晶圆是圆形的，所以以直径来分类不同大小的晶圆，而晶圆能切割多少芯片的问题其实要根据你的die（单个晶片）的大小和wafer（整块晶圆）的大小以及良率来决定的。
下面我们来看一个公式
更简单一点简化一些就演变成这样的公式
而X正使我们所要求值的芯片个数了。
除了以上这个公式，还减去检测过来的不合格或失去电性的芯片之外，剩下的就是我们每一个晶圆所能成功获取的芯片个数了，怎么样，你看懂了吗？
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摘要 : 肖特基产品应用注意 应小于肖特基二极管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖肖特基产品应用注意
应小于肖特基二极管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的高结温Tjmax.4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额使用。5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加***和吸收电路。6.肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。
表1是MBR2040、MBR2060、MBR20100、MBR20150、MBR20200的参数比较。例如：用MBR20100代换MBR2040，虽然MBR20100的反向击穿电压比MBR2040高，似乎代换没问题。但是MBR20100的正向压降比MBR2040高，假如应用在电脑机箱电源电路中会造成 5V和 12V电压偏离正常值过多，另外功耗会比原来增大。
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摘要 : 常见的二极管参数都有哪些呢？强元芯来告诉您！
常见的二极管参数都有哪些呢？
1.正向压降，1N4007(GPP大芯片)，此二极管参数决定了电路当中的功耗，压降越低，效率越高，
2.反向***时间，这项二极管参数决定了二极管在高频场所使用时是否合适，它可以帮助我们选择合适的二极管
3.浪涌电流，这项二极管参数是针对于电路当中有高频脉冲及开关开断的瞬间，会有一个较大的电流，它参数越高，说明它的抗冲击力越好
4.***后一点是结温，这项二极管参数，决定了二极管工作时的稳定性，大家都知道，二极管工作时，会有较大的温升，所以二极管的PN结结温也就成了影响二极管在温升较高时工作的稳定性
选择二极管时需注意以下参数：
1.应小于二极管的正向额定电流IF.
2.应用电路的峰值工作电压应小于二极管的反向击穿电压Vrrm.
3.应用电路内的二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的结温Tjmax.
4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，二极管应降额使用。
5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加***和吸收电路。
6.二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。
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