| 品牌 | NCE | 型号 | NCE7580 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | V-FET/V型槽MOS |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2-4（V） | 夹断电压 | 84（V） |
| 跨导 | 60000000（μS） | 极间电容 | 3100（pF） |
| ***大漏极电流 | 80000（mA） | ***大耗散功率 | 170000（mW） |
产品特征：低导通电阻，低栅极电荷。
高散热能力，高结温下，大电流持续导通能力。
高Eas能力。(100%UIS测试）
电参数高度一致性和重复性。
特殊制程，***静电电能力（ESD)
产品应用：主要用于开关电源，电动车控制器，UPS电源，充电器，
工控电源，太阳能电源，机箱电源，逆变器，电力电源，照明电源，
定制电源,电焊机，机电设备等。
Vds=75V；Id=80A @Vgs=10V； ***(ON)<8mΩ @Vgs=10V
注：@在…的条件下 封装：TO-220