北京德尔西曼科技有限公司供应西门子PM6 6DD1600-0AK0
技术工艺模块T400 6DD1606-0AD1
工艺模块 T400 (基于驱动器)用于直接处理驱动器中的技术工 艺任务:
• 工艺模块 T400可插入 SIMOVERT MASTERDRIVES AC 逆变器和 变频器,或插入 SIMOREG DC-Master 变频器。
• 使用 SRT400 “ 工艺盒 ”,T400 还可用于其它驱动器的***解决方案
技术数据 工艺模块 T400
工艺模块 T400
处理器32 位 RISC, 带 FPU
程序存储器 (PC 插件板)2 MB 闪存
加载程序代码:通过 PC 串口(无需插入式存储器模块)
主存储器数据 (程序 / 数据):4 MB DRAM
高速缓存 (程序 / 数据):各 4 KB
常驻内存:32 KB NOVRAM
电源故障时具有存储记忆功能:NOVRAM,用于 30 个可组态值(实数)短路电流
采样时间,循环,用于闭环控制
• ***短0.1 ms
• 典型0.8 ms ~1.6 ms
典型计算时间 (实型)
• MUL,乘法器
• PIC, PI 控制器14.3 µs
• RGE,斜坡发生器29.5 µs
组网:Point- to-point, USS, PROFIBUS从站, CBP2 可选
电源 / 电流消耗:+5 V 5%: 1.1 A+15 V 4%: 140 mA +
***大 100 mA 编码器电流
-15 V 3%: 140 mA
输入 / 输出电气隔离:x
• 工艺模块 T400可插入 SIMOVERT MASTERDRIVES AC 逆变器和 变频器,或插入 SIMOREG DC-Master 变频器。
• 使用 SRT400 “ 工艺盒 ”,T400 还可用于其它驱动器的***解决方案
技术数据 工艺模块 T400
工艺模块 T400
处理器32 位 RISC, 带 FPU
程序存储器 (PC 插件板)2 MB 闪存
加载程序代码:通过 PC 串口(无需插入式存储器模块)
主存储器数据 (程序 / 数据):4 MB DRAM
高速缓存 (程序 / 数据):各 4 KB
常驻内存:32 KB NOVRAM
电源故障时具有存储记忆功能:NOVRAM,用于 30 个可组态值(实数)短路电流
采样时间,循环,用于闭环控制
• ***短0.1 ms
• 典型0.8 ms ~1.6 ms
典型计算时间 (实型)
• MUL,乘法器
• PIC, PI 控制器14.3 µs
• RGE,斜坡发生器29.5 µs
组网:Point- to-point, USS, PROFIBUS从站, CBP2 可选
电源 / 电流消耗:+5 V 5%: 1.1 A+15 V 4%: 140 mA +
***大 100 mA 编码器电流
-15 V 3%: 140 mA
输入 / 输出电气隔离:x
