热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，银蒸发镀靶材，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，银蒸发镀靶材技术，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。
烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，***需求量都很大。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，银蒸发镀靶材生产加工，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，银蒸发镀靶材谁家好，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
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