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溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：

热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，***复合材料报价，但设备投入高，生产成本高，产品的缺氧率高。

平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，***复合材料加工，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，***复合材料，但是靶表面会氧化而影响溅射率，***复合材料厂，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。

导电辊包括导电辊的外层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成、内层由离子导电性聚合物的组合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成的双层导电辊，以及与上述相反的外层由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成、内层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成的双层导电辊。