美台（DIODES）齐纳二极管1***B5913B
Diodes 公司提供紧密容差的齐纳二极管。离子植入磊晶的晶圆制程，可允许小至 &plu***n;2.0% 的容差，电压范围 2.4V 至 47V。各式各样的表面黏着型与无引线封装，赋予齐纳二极管广泛的功能。
1***B5913B产品特性：
3.0W功耗
适合自动装配
3.3V-200V标称齐纳电压范围
标准VZ公差为&plu***n;5%
每个***模型的3级（>16kV）静电放电额定值
无铅表面处理；符合RoHS。
无卤素和锑。
封装：***B
齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
美台（Diodes）齐纳二极管部分型号：
1***B5913B
1***B5914B
1***B5915B
1***B5916B
1***B5917B
1***B5920B
1***B5921B
1***B5922B
1***B5923B
1***B5924B
1***B5925B
1***B5926B
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1***B5928B
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