| 是否提供加工定制 | 否 | 品牌 | 华晶 |
| 型号 | 3DD13001P | 应用范围 | 开关 |
| 材料 | 硅(Si) | 极性 | NPN型 |
| 击穿电压VCBO | 600（V） | 集电极***大允许电流ICM | 0.17（A） |
| 集电极***大耗散功率PCM | 0.6（W） | 截止频率fT | /（MHz） |
| 结构 | 平面型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 树脂封装 |
1 产品概述：
特征参数
VCEO=400V
IC=0.17A
Ptot （Ta=25℃）=0.6W
3DD13001P是硅NPN型功率开关晶体管，推荐功率5-7W，该产品采用平面工艺，
分压环终端结构和少子寿命控制技术，提高了产品的击穿电压、开关速
度和可靠性。
产品封装形式：TO-92，符合RoHS指令要求。
2 产品特点：
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 电流特性好
● 可靠性高
3 主要用途：
主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率
开关电路，是该类电子产品的核心部件。