ASEMI(图)-PL3391A开关电源IC-开关电源IC

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次摘要 : 利二极管工作原理上，我们可以把二极管应用在不同的方面，其中整流是它应用***广泛的领域，我们来看一下：利二极管工作原理上，我们可以把二极管应用在不同的方面，其中整流是它应用***广泛的领域，我们来看一下：

1.整流整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型，因此结电容较大，使其工作频率较低，一般为3kHZ以下。2.开关二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3.限幅二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4.续流在开关电源的电感中和继电器等***负载中起续流作用。5.检波检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小，工作频率较高，一般都采用锗材料制成。

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摘要 : 导读：ASEMI半导体之肖特基二极管系列：产品特性以及应用注意事项。ASEMI半导体主营肖特基二极管和快***二极管，肖特基二极管相比较普通的二极管，有着较多优点，***明显的是就是反向恢

导读：ASEMI半导体之肖特基二极管系列：产品特性以及应用注意事项。ASEMI半导体主营肖特基二极管和快***二极管，肖特基二极管相比较普通的二极管，有着较多优点，***明显的是就是反向***时间更短，也正因为如此，ASEMI半导体肖特基二极管就成了许多客户***钟爱的二极管系列。

首先，我们一起来了解一下肖特基二极管的产品特性：首先是肖特基二极管的正向压降比快***二极管正向压降要低很多，因此，它自身消耗的功率较低，开关电源IC，效率也相对更加高。因为肖特基二极管的反向电荷回复时间较短，所以它非常适合在高频的状态下工作。

其次，肖特基二极管能够耐受高浪涌电流，现在的ASEMI半导体肖特基二极管已经可以做到了1000V的反向耐压值，结温也非常高，-50℃到175℃都不在话下。

既然肖特基二极管如此好，PL3391A开关电源IC，那么在使用过程中，有没有需要注意的地方呢？

首先应当注意的是，应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的反向击穿电压，同时，应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的结温。如果说使用的环境较为苛刻，那么为了保证肖特基二极管的可靠性，PL51WT020开关电源IC，应该采用降额的方法进行谨慎使用。

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摘要 : 导读：ASEMI半导体领衔半导体新7纳米制程，为中国制造呐喊助威。2015开年以来，不管是经济还是政治，亦或是是文化，都在不断强调着中国制造这一口号，一个***要想成功发展，除了政治

导读：ASEMI半导体领衔半导体新7纳米制程，为中国制造呐喊助威。2015开年以来，不管是经济还是政治，亦或是是文化，都在不断强调着中国制造这一口号，一个***要想成功发展，除了政治、经济和文化，科技是另一块重要的模块。而在现如今这个电子的世界里，半导体行业的佼佼者，无疑占着***重要的版块…

现阶段，ASEMI半导体和其他的佼佼者芯片制造商，都处于同一个阶段，做着向10纳米制程过渡的准备。同时，7纳米的工艺制程也也在我们的考虑范围和研发计划当中。以下我们就讲讲几个思路。

如果说我们从材料方面来看的话，在晶体管方面，由于10纳米制造工艺与14纳米十分相似，但是依然有可能需要改变沟道的材料。而如果开始研究7纳米制造工艺的时候，我们需要考虑到像水平阵列中采用环栅(GAA)纳米线这样的问题，需要考虑到更多的转折点。

同时，ASEMI半导体考虑到现在的电子器件越来越趋向于小体积化，那么我们的内部元器件体积也要跟着不断缩小，因此必须采用新的材料与新的器件结构及多种技术进行集成。 从器件功能看，改变沟道材料，采用载流子迁移率更大的材料是个好思路。

可是同时，ASEMI半导体也考虑到静电电压指标的问题，它是影响未来器件质量的关键因素。静电电压制表可以击穿二极管中的PN结，从而增大漏电流。这会使得我们的节点器件的寄生效应变成非常敏感和脆弱。

ASEMI半导体发现，在7纳米制程工艺中，寄生电容会占到芯片总电容的75%。随着工艺尺寸越来越小，相应的工作电压和工作电流也必须减少，可是这样却也会导致电路中有效的载流子数量减少，PL3717A开关电源IC，这就会出现一个结果，那就是电路中会缺乏推动电路正常工作的能力。

现如今，ASEMI半导体从器件结构考虑在7纳米以下时仍有许多不可知，或者不确定性，因此对于设备及工艺需要注意以下四个方面问题：

1.所有一切与界面相关需要精细材料工程的配合;

2.薄膜淀积可以采用原子层淀积(ALD)或者选择性薄膜，甚至与晶格匹配的工艺;

3.采用干法，选择性去除及直接自对准方法来定义图形;

4.3D工艺结构意味着高纵横比工艺及非平衡态工艺。

ASEMI半导体在研究过后得出的***终结果：显示采用精细材料工程可用来解决尺寸缩小带来的器件功能退化问题。