天津金沃能源科技股份有限公司积极投身于京津冀地区户用分布式光伏发电、工商业光伏发电、光伏扶贫等各项工作，截止2017年5月，累计完成项目5MW，项目安装点超过500个。为天津市新能源协会第三届理事会员，积极参与天津市光伏行业规范和标准的制定，为天津市光伏产业的发展献计献策，确保天津市光伏产业健康、可持续发展。
认证周期及费用欧洲大的光伏实验室
一般来说，单个***的测试项目完全完成安规，EMC以及并网测试项目需要两个月的时间. 但是安规和EMC部分的测试结果可以相互参照，所以以欧洲为例. 安规和EMC测试只需要一次即可. 而每个***的并网测试标准虽然各为不同，但是在细节项目上多为重叠，只是区别对应的参数不一致。但是每个***的认证机构却只是专长于各自的并网标准， 对于他国的标准，华为光伏逆变器代理，往往是采取外包的方式。
所以对企业来说，有效的方式是寻找具有资质能力的实验室，一次性完成多个***的并网测试标准。并由实验室代为申请各个***的入网许可，同时可以取得各个认证机构的证书。
天津金沃能源科技股份有限公司积极投身于京津冀地区户用分布式光伏发电、工商业光伏发电、光伏扶贫等各项工作，截止2017年5月，累计完成项目5MW，项目安装点超过500个。为天津市新能源协会第三届理事会员，积极参与天津市光伏行业规范和标准的制定，为天津市光伏产业的发展献计献策，确保天津市光伏产业健康、可持续发展。
管理效率
BJT的驱动器电路能够减少损耗和提高系统效率。驱动器做了两件事：对器件电容迅速充放电，实现快速开关;确保连续提供基极电流，使晶体管在导通状态中保持饱和状态。
为了支持动态操作，15V的驱动器电源电压引起更快的瞬态变化，并提高性能。SiCBJT的阈值电压约为3V。通常情况下无需使用负极驱动电压或米勒钳位来提高抗扰度。
SiCBJT是一个“常关型”器件，并且仅在持续提供基极电流。选择静态操作的基极电流值会涉及到传导损耗和驱动损耗间的折衷平衡。尽管有较高的增益值(因此会形成较低的基极电流)，驱动损耗对SiCBJT仍非常重要，由于SiC布局具有较宽能带间隙，因此必须在基极和发射极间提供一个更高的正向电压。将基极电流增加一倍，从0.5A增加到1A，仅降低正向等效电阻10%，因此需要降低传导损耗，天津华为光伏逆变器，同时使饱和度转变为较高水平。这是我们设计升压转换器的一个重要考虑因素，因为它会在更高的电流纹波下运行。1A的基极电流会使开关能力增加至40A
静态驱动损耗是选定驱动电压和输入电压的一个函数(间接表示占空比值)。实现高开关速度需要15V的驱动电压，产生约8W的损耗，主要集中在基极电阻上。为了弥补这方面的损耗，对于动态和静态操作，我们通常使用两个单独的电源电压。图1提供了示意图。高压驱动器的控制信号会“中断”，因此它仅在开关瞬态期间使能。静态驱动阶段使用较低电压，从而可以降低静态损耗，并在整个导通期间保持状态。
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碳化硅的优势
基于硅的BJT在高压应用中失宠有几方面原因。首先，华为光伏逆变器，SiBJT中的低电流增益会形成高驱动损耗，并且随着额定电流的增加，损耗变得更糟。双极运行也会导致更高的开关损耗，并且在器件内产生高动态电阻。可靠性也是一个问题。在正向偏压模式下运行器件，可能会在器件中形成具有高电流集中的局部过温，这可能导致器件发生故障。此外，电感负载切换过程中出现的电压和电流应力，可能会导致电场应力超出漂移区，从而导致反向偏压击穿。这会严格限制反向安全工作区(RSOA)，意味着基于硅的BJT将不具有短路能力。
在运用碳化硅的新型BJT中不存在同样的问题。与硅相比，碳化硅支持的能带间隙是其三倍，可产生更大的电流增益，以及更低的驱动损耗，因此BJT的效率更高。碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此器件不太容易受到热击穿影响，并且要可靠得多。碳化硅在更高的温度下表现更出色，华为光伏逆变器价钱，因此应用范围更为广泛，甚至包括汽车环境。
从成本角度而言，碳化硅的高开关频率在硬件级可实现成本节约。虽然相较于基于纯硅，基于碳化硅的BJT更昂贵，但SiC工艺的高功率密度将会转换为更高的芯片利用率，并且支持使用更小的散热器和更小的过滤器元件。从长远来看，使用更昂贵的碳化硅BJT实际上更省钱，因为整体系统的生产成本更低。我们设计的升压转换器就是一个例子。它设计用于额定功率为17千瓦的光伏系统中，具有600伏的输出电压，输入范围为400到530V。
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