参数信息:
销售经理 技术支持:曹先生 13661375248 cao19900116@ ***:954950153
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:SuperMESH™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态***(***大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.2 欧姆 @ 4A, 10V
漏***源极电压(Vdss):700V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5A
Id 时的 Vgs(th)(***大):4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:68nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1370pF @ 25V
功率 - ***大:35W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220FP
包装:管件
供应商设备封装:*
