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北京赛米莱德贸易有限公司

普通会员7
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企业等级:普通会员
经营模式:生产加工
所在地区:北京 北京
联系卖家:况经理
手机号码:15201255285
公司官网:www.semild.com
企业地址:北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208
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企业概况

北京赛米莱德贸易有限公司位于北京市北京经济技术开发区,毗邻中芯国际,京东方,RFMD------等半导体、LCD工厂。在半导体,LED,TFT-LCD,太阳能光伏领域具有十年以上的进口设备代理和安装维修经验。是一家致力于LED,MEMS,光电半导体,太阳能光伏工厂及实验室所需设备、耗材的**解决方案......

光刻胶-进口光刻胶 哪家好-赛米莱德(优质商家)

产品编号:494627743                    更新时间:2019-04-01
价格: 来电议定
 北京赛米莱德贸易有限公司

北京赛米莱德贸易有限公司

  • 主营业务:光刻胶
  • 公司官网:www.semild.com
  • 公司地址:北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208

联系人名片:

况经理 15201255285

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产品详情
光刻胶介绍

光刻胶介绍

光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料,可以在光照后发生化学性质的改变,这是整个工艺的基础。

光刻胶有不同的类型,PMMAPMGI)以及DNQ(酚醛树脂)等材料都可以做光刻胶。

目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等***,包括 FUTURREX、陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、LG化学等等,中国公司在光刻胶领域也缺少核心技术。


负性光刻胶

负性光刻胶


负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

A、粘性增强负性光刻胶

粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力;很容易用光胶剥离器去除,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长***。

粘性增强负胶对生产量的影响,消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

i线***用粘度增强负胶系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

g和h线***用粘度增强负胶系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

B、加工负胶

加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长***。

加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,进口光刻胶 代理,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。

用于i线***的加工负胶系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。



市场上,光刻胶产品依据不同标准,可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类,光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相同;使用负性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相反。

按照感光树脂的化学结构分类,光刻胶可以分为①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,进口光刻胶 哪家好,***后生成聚合物,具有形成正像的特点;②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性胶;③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,进口光刻胶 厚胶,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,光刻胶,可以制成负性光刻胶。

按照***波长分类,光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、深紫外光刻胶(160~280nm)、极紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同***波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同,通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越小,加工分辨率越佳。


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