SY5800替换PL3715A-替换-ASEMI(查看)

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摘要 : ***标准国产二极管的型号命名***标准国产二极管的型号命名分为五个部分:

第1部分用数字“2”表示主称为二极管。

第2部分用字母表示二极管的材料与极性。

第3部分用字母表示二极管的类别。

第4部分用数字表示序号。

第5部分用字母表示二极管的规格号。 用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次

2二极管AN型锗材料P小信号管（普通管）

W电压调整管和电压基准管（稳压管）

L整流堆

BP型锗材料N阻尼管

Z整流管

U光电管

CN型硅材料K开关管

B或C变容管

V混频检波管

DP型硅材料JD激光管

S遂道管

CM磁敏管

E化合物材料H恒流管

Y体效应管

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摘要 : 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。

二极管型号按照构造都有哪些分类？：⒈点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的⒉键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的。⒊合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。⒋扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，替换，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，BP3319M换PL3715A，适用于大电流整流。⒌台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用***腐蚀掉⒍平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，SY5800替换PL3715A，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的***腐蚀作用⒎合金扩散型二极管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。⒏外延型二极管用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管

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摘要 : 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，***了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。我们从二极管工作原理来理解一下二极管的反向击穿

在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，***了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 另一种雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，M8900替换PL3715A，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结损坏