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摘要 : 整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电，它是利用二极管的单向导电特性工作的。
本节我们首先讲一下整流二极管：
整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电，它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大，工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大， 因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装，以利于散热；额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外，由于T艺技术的不断提高，也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装，在使用中应予以区别。 选用整流二极管时，主要应考虑其整流电流、反向丁作电流、截止频率及反向***时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向***时间要求不高，只要根据电路的要求选择整流电流和反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。
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摘要 : 熟悉半导体的人都知道，电子元器件是半导体行业的元气，是地基。很多人都对电子元器件非常熟悉但却都存在盲区，特别在检验电子元器件的方法这一块领域，很多人知点不知点，都会很模糊
熟悉半导体的人都知道，电子元器件是半导体行业的元气，是地基。很多人都对电子元器件非常熟悉但却都存在盲区，特别在检验电子元器件的方法这一块领域，很多人知点不知点，都会很模糊，但是ASEMI半导体想要提醒您的是，SY5830替换PL3716A，元器件和电路是需要异常精密和谨慎的领域，还是了解一下为好。
今天ASEMI半导体主讲的是关于电阻器和电容器的测试方法：
首先讲的是电阻的概念：电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。它的型号命名方法很神奇，是分开四部分来组成的，其中一部分是它的主称呼，类似于整流桥的封装那样，M8900替换PL3715A，第二部分则是它的材料，比如说si，第三部分就是分类，***后一部分是序号。所以我们平时看到的电阻器名字都是长过外国人的那种样子。
然后是电阻器阻值的标示方法：
1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。
3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。
数码从左到右，一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，M8910替换PL3716A，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。
黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%
本篇第二种ASEMI半导体所要讲述的是电容器，同样是从概念开始，电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，它的型号命名方法：基本上和电阻是一样的，同样也是四部分依次分别代表名称、材料、分类和序号。
***后ASEMI半导体想要讲的是关于电容器的分类：
按照其极性分为二大类：有极性电容器（如电解电容）和无极性电容器。
按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。
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摘要 : 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
二极管型号按照构造都有哪些分类？：⒈点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的⒉键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的。⒊合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。⒋扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，替换，适用于大电流整流。⒌台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用***腐蚀掉⒍平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的***腐蚀作用⒎合金扩散型二极管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。⒏外延型二极管用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管
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