| 型号 | RE200B |
| 灵敏元面积 | 2.0×1.0mm2 |
| 基片材料 | 硅 |
| 基片厚度 | 0.5mm |
| 工作波长 | 7-14μm |
| 平均透过率 | ＞75% |
| 输出信号 | ＞2.5V |
| (420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益) | |
| 噪声 | ＜200mV |
| (mVp-p) (25℃) | |
| 平衡度 | ＜20% |
| 工作电压 | 2.2-15V |
| 工作电流 | 8.5-24μA |
| (VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
| 源极电压 | 0.4-1.1V |
| (VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
| 工作温度 | -20℃- +70℃ |
| 保存温度 | -35℃- +80℃ |
| 视场 | 139°×126° |
| 说明 | 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法***温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。 |
| 使用 |
1、上述特性指标是在源极电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。 2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到***佳光学设计。 3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。 4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。 5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚 |