1：金属镀钯，镀钯铜提钯技术：首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中，再加入自配退钯溶液，数秒中后表面钯退净，取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害，再用自配化学***，钯和溶液分离
2：合金含钯，铜钯合金提钯技术：把铜钯合金放入容器中，加入自配***把铜钯合金溶解成液体，再用自配化学***把钯和溶液分离。
3：废钯碳催化剂提钯，首先用物理原理把碳等有机物去除，剩下金属钯，再用化学***溶解金属钯，再进行下一步钯分离。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是***苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，丹东金电解槽设计，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，金电解槽设计报价，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
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