AM27C512-150DC
512千比特（64 K个×8位）的CMOS的EPROM
AM27C512-150DC 突出特点
快速访问时间
- 55 ns的快速速度选项
n低功耗
- 20μA（典型值）CMOS待机电流
的JEDEC批准的引出线
n单+5 V电源
&plu***n;10％电源公差标准
100％Flashrite™；编程
- 典型编程时间为8秒
闭锁保护，从1 V至100 mA
VCC+ 1个V
高抗扰度
简单的接口多功能功能
- CMOS和TTL输入/输出的兼容性
- 两线控制功能
n标准的28引脚DIP，PDIP封装，32引脚PLCC
封装
AM27C512-150DC 一般说明
Am27C512是512-Kbit的，紫外线可擦除可编程
只读存储器。它是为64K举办
每个字由8位的话，经营从单一+5 V
供应，有一个静态的待机模式，并具有快速
单地址位置编程。产品有
在窗口的陶瓷DIP封装，以及
塑料一次性可编程（OTP），PDIP和
PLCC封装。
通常的数据可以在小于55 ns的存取，允许
高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该设备提供***的
输出启用（OE＃）和芯片使能（CE＃）控制，
从而消除了在一个多总线微处理器总线争
系统。
AMD的CMOS工艺技术，提供高
高速，低功耗，高抗干扰性。典型
在主动模式下功耗只有80毫瓦，
100μW，在待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括节目信号。
位的位置，可单独编程，在
块，或随意。该设备支持AMD的
flashrite规划算法（100微秒脉冲），导致
在典型的编程时间为8秒。