NTMFS4955NT1G 分立半导体产品 N沟道
规格
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 9.7A（Ta），48A（Tc） |
| 驱动电压 | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 *** On | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） | 10.8nC @ 4.5V |
| Vgs | &plu***n;20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1264pF @ 15V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散 | 920mW（Ta），23.2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
NTUD3174NZT5G 全新N沟道场效应管
规格：
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 220mA（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 *** On | 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th） | 1V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 12.5pF @ 15V |
| 功率 | 125mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
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